关于Ｅ７０８的一些经验知识！！

E708 字库 KBB06A300M 是三星生产的FLASH芯片，该芯片为多片集成模块存储器（MCP）：2个8MB的NOR FLASH 1个16MB的NAND FLASH 1个4MB的UtRAM。 我们所说的芯片前16M就是指2个NOR FLASH（FLASH），芯片后16M就是指NAND FLASH（NANDF）。

每个NOR FLASH还内含64KB的隐含扇区，整个芯片就有128KB的稳含扇区（20000H）。 E708有3。5版以前的英文机，B2版的半中文机，如果要改为全中文机，B2版的手机资料，选择字库 KBB06A300M_HR ,调用资料为 E708_B2_HR.BIN。如果更换新字库还要再选 KBB06A300M_S，调用资料为 E708_B2_S.BIN.。

如果是B2版维修，可以用上述办法，也可以写前半部分时可以选 KBB06A300M_Nor，调用资料还是 E708_B2_HR.BIN，如果是行货L1版维修，选 KBB06A300M_Nor， 调用资料 E708_L1.BIN，后半部分（NANDF）与B2现同 V3。5的可以用KBB06A300M_Nor直接改中文。

HR 是Hint Rom，稳含区的意思，在E708中，只有 水货改版机才需要。如果没有被上锁，可以多次读写；如果已上锁（如输入 复位 命令），就不可以改写了（出错地址为 FFC000H）！！ 主页有两个全中文字库资料，其中一个是行货的（L1），一个是水货改机的（B2） 另外，KBB06A300-UnL 这个型号是专门为给免拆写死后解锁之用。它可以用于KBB0xxx的字库，只是读写时代码可能不同。

请注意： 用免拆写稳含区（1。25m文件），如果写不好的话，字库稳含区也会锁死，尽管稳含区是空的，免拆或编程器再也写不进；如果是直接用96编程器写稳含区，就不会锁死，可以重写。稳含区锁死的字库可以用于行货L1的全中文与水货半中文手机。 如果是读出手机字库资料备份，建议选择 KBB06A300M_HR 这个带稳含区的型号，由于稳含区的资料放在最后面，因此，读出资料既可以用 KBB06A300M_HR 这个带稳含区的型号来写，也可以用 KBB06A300M_Nor 这个不带稳含区的型号来写。

附件： NOR FLASH和NAND FLASH是两种不同类型的FLASH芯片。早于1988年，英特尔就首先开发出NOR FLASH技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND FLASH结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

　 大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR FLASH更适合一些，而NAND FLASH则是高数据存储密度的理想解决方案。NAND在Compact FLASH、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上广泛应用。 　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。它还可以象硬盘那样管理扇区，就是说，如有部分坏，也可以通过格式化后使用。但是，NAND闪存位反转的问题可以采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，进行坏块处理，就是说并将坏块标记为不可用。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备（如常用U盘）。 NOR的读速度比NAND稍快一些，但写入速度比NAND要慢很多。NAND的擦除单元更小，数据更新更方便快捷。

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2。50版本以后KBB字库的型号表示有变化，如 KBB06A300M @80BGA 这个型号被 KBB06A300_Nor代替，96可以看到 KBB06A300M @80BGA 这个型号，但它是KBB06A300_HR 与 KBB06A300_S 之合了，容量是 20A0000H
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